第二百零五章 3.5D芯片堆叠封装技术

率改进技术……”

    “EUV型28纳米光刻机曝光技术……”

    “……”

    看了一圈，系统里光刻机技术下确实有不少改良技术，但都是关于良品率、提高生产效率等技术。

    而胡来预想的魔改某一种技术后实现28纳米光刻机实现14纳米芯片生产的技术，并没有。

    胡来顿时有些失落，系统里没有魔改28纳米光刻机的技术，那意味着光刻机这条路彻底走不通了。

    他微微皱眉，除了通过光刻机制程，现在还有什么技术路线才能让28纳米芯片达到14纳米芯片的性能呢？

    想到此处，胡来脑海飞速运转起来。

    在芯片行业里，影响一颗芯片的性能有几个因素，一个是芯片制程，另一个是芯片架构和设计方桉，还有一个是封装技术。

    芯片制程就是常见的多少纳米，在体积大小相同的情况下，14nm工艺的芯片，容纳的晶体管数量几乎是28nm的2倍多！

    说得直白点，晶体管的数量越多，处理器性能越强，纳米越小，芯片解析能力越强。

    除开芯片制程，芯片的架构和设计方桉也有影响。

    比如同样的ARM架构下，华伟麒麟9000和骁龙888同样的5纳米制程，芯片设计方桉的不同也会让两款芯片性能有差别。

    不过凤凰虎跃芯片架构和设计方桉都是系统出品，已经是凤凰现在